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Le circuit oscillateur construit à l'aide d'une diode tunnel est appelé oscillateur à diode tunnel. Si la concentration d'impuretés d'une jonction PN normale est fortement augmentée, Tunnel diode est formé. Il est également connu sous le nom de Esaki diode, d'après son inventeur. Diode de tunnel Lorsque la concentration d'impuretés dans une diode augmente, la largeur de la région d'appauvrissement diminue, étendant une force supplémentaire aux porteurs de charge pour traverser la jonction. Lorsque cette concentration est encore augmentée, en raison de la largeur moindre de la région d'appauvrissement et de l'énergie accrue des porteurs de charge, ils pénètrent à travers la barrière de potentiel, au lieu de la franchir. Oscillateur de Quartz TTL DIP 8,19200 Mhz. Cette pénétration peut être comprise comme Tunneling et d'où le nom, Tunnel diode. L'image suivante montre à quoi ressemble une diode tunnel pratique. Les symboles de la diode tunnel sont indiqués ci-dessous. Pour plus de détails sur les diodes tunnel, veuillez consulter notre didacticiel sur l' électronique de base.
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